IT之家 1 月 26 日新闻，泛林团体 Lam Research 美国加州外地时光本月 14 日发布，其干式光刻胶技巧胜利经由过程 imec 认证，可直接在逻辑半导体后道工艺（IT之家注：BEOL，互联层制造）中实现 28nm 间距的直接图案化，能满意 2nm 及以下进步制程的需要。现在在进步制程范畴常用的光刻胶为基于化学缩小道理的湿式旋涂光刻胶，而泛林的干式光刻胶则是由小于 0.5nm 的金属无机微粒单位气相堆积而来。泛林声称其干式光刻胶存在更优良的光子捕捉才能，同时间刻胶层的厚度也更轻易调控。在详细表示方面，这一新型光刻胶可战胜 EUV 光刻范畴曝光剂量跟缺点率这对重要抵触，同时较湿化学光刻胶更为环保。▲ 光刻流程，从涂胶到制得图案泛林干式光刻胶在后道工艺中的图案化才能现在已在 0.33 (Low) NA EUV 光刻机上失掉了验证，将来还可扩大至逐渐投入应用的 0.55 (High) NA EUV 光刻平台上。